Az elektrosztatikus feszültség felhalmozódása a komponensekre

May 27, 2019 Hagyjon üzenetet

Az elektrosztatikus feszültség felhalmozódása az alkatrészekre


Alapvető tipp: A feszültség meghibásodás a félvezető PN csatlakozás vagy a dielektromos réteg túlfeszültség alatt történő lebontását jelenti. A modern VLSI áramkörökben a kapu-oxid réteg vastagsága olyan vékony, mint a nanométer, és az elektrosztatikus feszültségek, amelyek akár 100 volt vagy tíz volta is elegendőek ahhoz, hogy az alkatrész meghibásodását vagy teljesítményromlását okozzák. A túlfeszültség fő forrása triboelektromos. Amikor egy személy sétál a szobába vagy



A feszültség meghibásodás a félvezető PN csatlakozás vagy a dielektromos réteg túlfeszültség alatt történő lebontását jelenti. A modern VLSI áramkörökben a kapu-oxid réteg vastagsága olyan vékony, mint a nanométer, és az elektrosztatikus feszültségek, amelyek akár 100 volt vagy tíz volta is elegendőek ahhoz, hogy az alkatrész meghibásodását vagy teljesítményromlását okozzák.


A túlfeszültség fő forrása triboelektromos. Amikor egy személy belép egy szobába, vagy egyszerűen eltávolítja az integrált áramkört egy műanyag borítékanyagból, akkor 15 000 - 20000V feszültséget generálhat, amely messze meghaladja az elektrosztatikus megszakító feszültséget. Egy MOS terepi hatású tranzisztort példaként egy fém alumínium kapu, egy szigetelő dielektromos réteg SIO2 és egy félvezető N-csatorna egy ilyen szerkezet egyenértékű egy lapos lemez kondenzátorral, amelynek kapacitása körülbelül 3 PF.

Amikor a statikus töltés az alumínium rácson halmozódik fel, V = Q / C-ből ismert, hogy még kis mennyiségű töltés miatt a feszültség nagyon magas. A SIO2 szigetelő dielektromos réteg ellenállási feszültsége csak körülbelül 100V. Amikor az elektrosztatikus feszültség eléri vagy meghaladja az ellenállási feszültség értékét, az oxidfólia lebontásra kerül, ami a lyukakat okoz, hogy a kapuk kommunikáljanak, károsítsák a készüléket, rejtett veszélyeket okozzanak, vagy a készüléket érvénytelenné tegyék.


Az áramkimaradás egy félvezető PN csomópont, egy szigetelő dielektromos réteg, egy összekötő huzal stb. Lebontását jelenti olyan túláram alatt, amely az elektrosztatikus kisülési impulzus alakjához, időtartamához és energia felhalmozódásához kapcsolódik. Az elektrosztatikus kisülési áram áthalad az integrált áramkör belsejében, ami a PN csatlakozás hőmérsékletének növekedését eredményezi.

Egyesek a belső összekötő vezetékeket égethetik, vagy a belső összekötő vezetékeket szűkíthetik, és egyesek ötvözést vagy fémdiffúziót okozhatnak, ami végső soron tartós károsodást vagy az eszköz súlyos öregedését okozhatja. Az elektromos öregedés a legtöbb fejfájás "puha lebontása". Nem lehet abban az időben megtalálni, de ez bármikor sikertelen lehet. Ebben az időben az elektronikus berendezést, amely azt használja, kétségtelenül nagy rejtett veszélyeket fog okozni.